Publikationen von Matthias Scheffler

Konferenzbeitrag (27)

1996
Konferenzbeitrag
Pehlke, E., N. Moll und M. Scheffler: The equilibrium shape of InAs quantum dots grown on a GaAs(001) substrate. In: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors. (Hrsg.): R. Zimmermann. World Scientific, Singapore, 1301–1304 (1996).
1995
Konferenzbeitrag
Ruggerone, P., B. Kohler, S. Wilke und M. Scheffler: Electronic origin of the H-induced phonon anomalies on Mo(110). In: Electronic Surface and Interface States on Metallic Systems. (Hrsg.): E. Bertel. World Scientific, Singapore, 113–126 (1995).
1994
Konferenzbeitrag
Heinemann, M. und M. Scheffler: The formation of a Schottky barrier: Na on GaAs(110). In: Formation of Semiconductor Interfaces. (Hrsg.): B. Lengeler, H. Lüth, W. Mönch, und J. Pollmann. World Scientific, Singapore, 297–300 (1994).
Konferenzbeitrag
Oppo, S., V. Fiorentini und M. Scheffler: Surface alloying and surfactant action of Sb on Ag(111). In: Materials Research Society Symposium Proceedings. Materials Research Society, New York, 323–328 (1994).
1992
Konferenzbeitrag
Dabrowski, J., E. Pehlke und M. Scheffler: DFT-LDA calculations ofsurface core-level shifts for Si(001), Ge(001), and Ge on Si(001) (2x1) surfaces. In: 21st International Conference on the Physics of Semiconductors: Beijing, China, August 10-14, 1992. (Hrsg.): P. Jiang und H.-Z. Zheng. World Scientific, Singapore, 389–392 (1992).
1985
Konferenzbeitrag
Máca, F., M. Scheffler und W. Berndt: A LEED analysis of sqrt{3} x sqrt{3} S on Pd(111). In: Proc. 3rd Symposium on Surface Physics: Physics of Solid Surfaces. (Hrsg.): J. Koukal., 195–198 (1985).
1981
Konferenzbeitrag
Bernholc, J., N.O. Lipari, S.T. Pantelides und M. Scheffler: Theory of point defects and deep impurities in semiconductors. In: Defects and Radiation Effects in Semiconductors. (Hrsg.): R.R. Hasiguti. Institute of Physics, London, 1–17 (1981).
1977
Konferenzbeitrag
Scheffler, M., K. Kambe, F. Forstmann und K. Jacobi: Angle-resolved photoemission of the oxygen overlayer on Ni,(001): Part 1 (Calculations). In: Proceedings of the 7th International Vacuum Congress and the 3rd International Conference on Solid Surfaces of the International Union for Vacuum Science, Technique and Applications. (Hrsg.): R. Dobrozemsky., 2223–2226 (1977).
1976
Konferenzbeitrag
Scheffler, M., K. Kambe und F. Forstmann: Energy and angle-resolved photoemission. In: Proceedings International Symposium on Photoemission. (Hrsg.): R.F. Willis, B. Feuerbacher, B. Fitton, und C. Backx. ESA, Paris, France, 227 (1976).

Vortrag (192)

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