Publikationen von Nikolaj Moll

Zeitschriftenartikel (8)

1.
Zeitschriftenartikel
Wang, L. G.; Kratzer, P.; Moll, N.; Scheffler, M.: Size, shape, and stability of InAs quantum dots on the GaAs(001) substrate. Physical Review B 62, S. 1897 - 1904 (2000)
2.
Zeitschriftenartikel
Liu, Q. K. K.; Moll, N.; Scheffler, M.; Pehlke, E.: Equilibrium shapes and energies of coherent strained InP islands. Physical Review B 60 (24), S. 17008 - 17015 (1999)
3.
Zeitschriftenartikel
Wang, L. G.; Kratzer, P.; Scheffler, M.; Moll, N.: Formation and stability of self-assembled coherent islands in highly mismatched heteroepitaxy. Physical Review Letters 82 (20), S. 4042 - 4045 (1999)
4.
Zeitschriftenartikel
Mirbt, S.; Moll, N.; Kley, A.; Joannopoulos, J. D.: A general rule for surface reconstructions of III-V semiconductors. Surface Science 422 (1-3), S. L177 - L182 (1999)
5.
Zeitschriftenartikel
Moll, N.; Scheffler, M.; Pehlke, E.: Influence of surface stress on the equilibrium shape of strained quantum dots. Physical Review B 58 (8), S. 4566 - 4571 (1998)
6.
Zeitschriftenartikel
Pehlke, E.; Moll, N.; Kley, A.; Scheffler, M.: Shape and stability of quantum dots. Applied Physics A 65 (6), S. 525 - 534 (1997)
7.
Zeitschriftenartikel
Moll, N.; Kley, A.; Pehlke, E.; Scheffler, M.: GaAs equilibrium crystal shape from first-principles. Physical Review B 54 (12), S. 8844 - 8855 (1996)
8.
Zeitschriftenartikel
Moll, N.; Bockstedte, M.; Fuchs, M.; Pehlke, E.; Scheffler, M.: Application of generalized gradient approximations: The diamond-߭tin phase transition in Si and Ge. Physical Review B 52, S. 2550 - 2556 (1995)

Konferenzbeitrag (2)

9.
Konferenzbeitrag
Pehlke, E.; Moll, N.; Scheffler, M.: The equilibrium shape of quantum dots. In: Advances in Computational Materials Science, S. 23 - 32 (Hg. Fiorentini, V.; Meloni, F.). VI Italian-Swiss Workshop on, S. Margherita di Pula, (Cagliari), 28. September 1996 - 02. Oktober 1996. Italian Physical Society, Bologna (1997)
10.
Konferenzbeitrag
Pehlke, E.; Moll, N.; Scheffler, M.: The equilibrium shape of InAs quantum dots grown on a GaAs(001) substrate. In: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors, S. 1301 - 1304 (Hg. Zimmermann, R.). International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin, Germany, 21. Juli 1996 - 26. Juli 1996. World Scientific, Singapore (1996)

Hochschulschrift - Doktorarbeit (1)

11.
Hochschulschrift - Doktorarbeit
Moll, N.: Theorie der Form und Stabilität von Quantenpunkten auf III-V-Halbleitern. Dissertation, TU, Berlin (1998)

Hochschulschrift - Diplom (1)

12.
Hochschulschrift - Diplom
Moll, N.: Berechnung der Oberflächenspannung von GaAs/AlAs-Oberflächen. Diplom, TU, Berlin (1995)
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