Publikationen von Günther Schwarz

Zeitschriftenartikel (4)

1.
Zeitschriftenartikel
Hedström, M.; Schindlmayr, A.; Schwarz, G.; Scheffler, M.: Quasiparticle corrections to the electronic properties of anion vacancies at GaAs(110) and InP(110). Physical Review Letters 97 (22), 226401 (2006)
2.
Zeitschriftenartikel
Ebert, P.; Quadbeck, P.; Urban, K.; Henninger, B.; Horn, K.; Schwarz, G.; Neugebauer, J.; Scheffler, M.: Identification of surface anion antisite defects in (110) surfaces of III-V semiconductors. Applied Physics Letters 79 (18), S. 2877 - 2879 (2001)
3.
Zeitschriftenartikel
Ebert, P.; Urban, K.; Aballe, L.; Chen, C.-H.; Horn, K.; Schwarz, G.; Neugebauer, J.; Scheffler, M.: Symmetric versus nonsymmetric structure of the phosphorus vacancy on InP(110). Physical Review Letters 84 (25), S. 5816 - 5819 (2000)
4.
Zeitschriftenartikel
Schwarz, G.; Kley, A.; Neugebauer, J.; Neugebauer, J.; Scheffler, M.: Electronic and structural properties of vacancies on and below the GaP(110) surface. Physical Review B 58, S. 1392 - 1400 (1998)

Buchkapitel (1)

5.
Buchkapitel
Schwarz, G.; Neugebauer, J.; Scheffler, M.: Point defects on III-V semiconductor surfaces. In: Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors: Osaka, Japan, September 17 - 22, 2000, S. 1377 - 1380 (Hg. Miura, N.; Ando, T.). Springer, Berlin (2001)

Hochschulschrift - Doktorarbeit (1)

6.
Hochschulschrift - Doktorarbeit
Schwarz, G.: Untersuchungen zu Defekten auf und nahe der (110)-Oberfläche von GaAs und weiteren III-V-Halbleitern. Dissertation, Technische Universität, Berlin (2002)

Hochschulschrift - Diplom (1)

7.
Hochschulschrift - Diplom
Schwarz, G.: Theoretische Untersuchungen zu Leerstellen auf der (110)-Oberfläche von GaP. Diplom, Technische Universität Berlin, Berlin (1996)
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