Publikationen von Günther Schwarz

Hedström, M., A. Schindlmayr, G. Schwarz und M. Scheffler: Quasiparticle corrections to the electronic properties of anion vacancies at GaAs(110) and InP(110). Physical Review Letters 97 (22), 226401 (2006).

Ebert, P., P. Quadbeck, K. Urban, B. Henninger, K. Horn, G. Schwarz, J. Neugebauer und M. Scheffler: Identification of surface anion antisite defects in (110) surfaces of III-V semiconductors. Applied Physics Letters 79 (18), 2877–2879 (2001).

Ebert, P., K. Urban, L. Aballe, C.-H. Chen, K. Horn, G. Schwarz, J. Neugebauer und M. Scheffler: Symmetric versus nonsymmetric structure of the phosphorus vacancy on InP(110). Physical Review Letters 84 (25), 5816–5819 (2000).

Schwarz, G., A. Kley, J. Neugebauer, J. Neugebauer und M. Scheffler: Electronic and structural properties of vacancies on and below the GaP(110) surface. Physical Review B 58, 1392–1400 (1998).

Schwarz, G., J. Neugebauer und M. Scheffler: Point defects on III-V semiconductor surfaces. In: Proceedings of the 25th International Conference on the Physics of Semiconductors: Osaka, Japan, September 17 - 22, 2000. (Hrsg.): N. Miura und T. Ando. (Springer proceedings in physics, Vol. 87). Springer, Berlin, 1377–1380 (2001).

Schwarz, G.: Untersuchungen zu Defekten auf und nahe der (110)-Oberfläche von GaAs und weiteren III-V-Halbleitern. Technische Universität Berlin

Schwarz, G.: Theoretische Untersuchungen zu Leerstellen auf der (110)-Oberfläche von GaP. Technische Universität Berlin Berlin