Publikationen von Jörg Neugebauer

Neugebauer, J.; Van de Walle, C. G.: Role of defects and impurities in doping of GaN. In: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors: Berlin, Germany, July 21 - 26, 1996; [proceedings], S. 2849 - 2856 (Hg. Scheffler, M.). International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS), Berlin, 21. Juli 1996 - 26. Juli 1996. World Scientific, Singapore (1996)

Rosa, A. L. d.: Dichtefunktionaltheoretische Untersuchungen zu Anti-Surfactants auf Galliumnitridoberflächen. Dissertation, Technische Universität, Berlin (2003)

Schwarz, G.: Untersuchungen zu Defekten auf und nahe der (110)-Oberfläche von GaAs und weiteren III-V-Halbleitern. Dissertation, Technische Universität, Berlin (2002)

Neugebauer, J.: Ab initio analysis of group-III nitrides: Defects, Interfaces, and Surfaces. Habilitation, Technische Universität Berlin, Berlin (2001)