Publikationen von Jörg Neugebauer

Neugebauer, J. und C.G. Van de Walle: Role of defects and impurities in doping of GaN. In: 23rd International Conference on the Physics of Semiconductors: Berlin, Germany, July 21 - 26, 1996; [proceedings]. (Hrsg.): M. Scheffler. World Scientific, Singapore, 2849–2856 (1996).

Rosa, A.L.da: Dichtefunktionaltheoretische Untersuchungen zu Anti-Surfactants auf Galliumnitridoberflächen. Technische Universität Berlin

Schwarz, G.: Untersuchungen zu Defekten auf und nahe der (110)-Oberfläche von GaAs und weiteren III-V-Halbleitern. Technische Universität Berlin

Neugebauer, J.: Ab initio analysis of group-III nitrides: Defects, Interfaces, and Surfaces. Technische Universität Berlin Berlin